• OMX Baltic1,06%321,34
  • OMX Riga0,85%964,57
  • OMX Tallinn1,94%2 247,04
  • OMX Vilnius0,47%1 512,62
  • S&P 500−0,77%7 683,69
  • DOW 30−0,67%51 481,51
  • Nasdaq −0,92%26 820,38
  • FTSE 1000,32%10 718,73
  • Nikkei 225−0,6%65 481,27
  • CMC Crypto 2000,00%0,00
  • USD/EUR0,00%0,88
  • GBP/EUR0,00%1,17
  • EUR/RUB0,00%96,05
  • OMX Baltic1,06%321,34
  • OMX Riga0,85%964,57
  • OMX Tallinn1,94%2 247,04
  • OMX Vilnius0,47%1 512,62
  • S&P 500−0,77%7 683,69
  • DOW 30−0,67%51 481,51
  • Nasdaq −0,92%26 820,38
  • FTSE 1000,32%10 718,73
  • Nikkei 225−0,6%65 481,27
  • CMC Crypto 2000,00%0,00
  • USD/EUR0,00%0,88
  • GBP/EUR0,00%1,17
  • EUR/RUB0,00%96,05
Eile ilmunud raporti kohaselt põhjustas Samsung Galaxy Note 7 süttimise ning suitsemise liiga agressiivne tehnoloogia, vahendab CNBC.
Samsung pidi tagasi kutsuma umbes 2,5 miljonit Galaxy Note 7 nutitelefoni. Pildil süttinud telefon.
  • Samsung pidi tagasi kutsuma umbes 2,5 miljonit Galaxy Note 7 nutitelefoni. Pildil süttinud telefon.
  • Foto: Reuters/Scanpix
Lõuna-Korea tehnoloogiagigant oli sunnitud tagasi kutsuma ning lõpetama Note 7 tootmise ning on pidanud kannatama ka mainekahju. Samsung on teatanud, et telefonide rikke põhjuse leidmise kallal tehakse jätkuvalt tööd.
Inseneriettevõte Instrumental avaldas aga samal teemal oma nägemuse ning selle järgi on Note 7 süttimise ja suitsemise põhjuseks liiga agressiivne tehnoloogia. Raportis kirjutatakse, et Note 7 aku positiivse laenguga kiht on tehtud liitiumkoobaltoksiidist ning negatiivne kiht grafiidist. Kahe kihi vaheline osa võimaldab energial liikuda ühelt kihilt teisele. Kui aga positiivne ja negatiivne kiht kokku peaksid puutuma, võib tekkida oht, et aku kuumeneb üle ning see võibki kaasa tuua plahvatuse.
Kui telefonile avaldatakse pidevalt survet, näiteks seda pükste taskusse surudes ning seejärel kuhugi istudes, suureneb tõenäosus, et kaks kihti puutuvadki kokku, seisab raportis.

Hetkel kuum

Podcastid

Tagasi Äripäeva esilehele